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GT25Q102中文资料

GT25Q102图片

GT25Q102外观图

  • 大小:152.55KB
  • 厂家:TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
  • 描述:N CHANNEL IBGT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
  • 晶体管类型::绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
  • 集电极直流电流::25A
  • 饱和电压, Vce sat 最大::2.7V
  • 功耗, Pd::200W
  • 电压, Vceo::1.2kV
  • 工作温度范围::-55°C 到 +150°C
  • 封装类型::TO-3P
  • 针脚数::3
  • 上升时间::100ns
  • 下降时间典型值::160ns
  • 功率, Pd::200W
  • 功耗::200W
  • 封装类型::TO-3P (LH)
  • 晶体管极性::?频道
  • 最大功耗::200W
  • 最大连续电流, Ic::25A
  • 电压, Vces::1.2kV
  • 电流, Icm 脉冲::50A
  • 表面安装器件::通孔安装

GT25Q102供应商

更新时间:2023-01-05 10:09:57
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